Най-бързият безсилициев транзистор – нов пробив в полупроводниковите технологии
Учени от Пекинския университет създадоха най-бързия транзистор в света, който не използва силиций. Според тях това откритие може да заобиколи ключови технологични ограничения в производството на чипове.
Новият подход позволява изграждане на по-ефективни полупроводникови структури с по-прости производствени методи и потенциално по-ниски разходи.
Ограниченията на традиционното производство
Досегашното производство на транзистори разчита основно на силиций и изключително скъпо литографско оборудване.
Общоприето е, че производството на 2 nm полупроводници изисква преминаване към EUV литография. Това значително увеличава разходите и сложността на процеса.
В същото време износът на високотехнологично оборудване е силно ограничен от САЩ и техните партньори.
Китай няма достъп до EUV скенери, както и до най-съвременните версии на 193-nm DUV системи. Това допълнително ограничава развитието на традиционните технологии.
Новият подход с 2D транзистори без силиций
За да заобиколят тези ограничения, учените разработват нов производствен процес за 2D транзистори без силиций.
Вместо силиций се използват бисмутови оксиди – Bi₂O₂Se и Bi₂SeO₅. Тези материали позволяват изграждане на атомно тънки и равномерни слоеве.
Това осигурява висока повторяемост на процеса и стабилна работа на транзисторите.
Новата структура е наречена „плетен мост“, като алтернатива на традиционните FinFET архитектури.
Най-бързият транзистор в света без силиций е вече факт
За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Фейсбук , групата ни за любопитни новини във Фейсбук или ни последвайте в Telegram
